中來股份董事長林建偉對J-TOPCon2.0技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展非常有信心，他表示：“這次TOPCon技術(shù)的進(jìn)步是我們多年夢寐以求的目標(biāo)，我非常激動中來能夠引領(lǐng)行業(yè)，把TOPCon制造技術(shù)推向一個新的高度。我們愿意一起跟同行分享這個新技術(shù)，為高效太陽能電池的生產(chǎn)普及做貢獻(xiàn)。”

　　

　　中來TOPCon 1.0制造工藝和技術(shù)是基于N 型硅片，通過隧穿氧化層和摻雜多晶硅實現(xiàn)鈍化接觸，大幅度提高電池效率。經(jīng)過多年研發(fā)和生產(chǎn)調(diào)試，中來量產(chǎn)效率雖然達(dá)到了世界領(lǐng)先的23.5%+，但是由于隧穿氧化層通過高溫氧化， LPCVD沉積非晶硅，離子注入摻磷，并經(jīng)高溫退火，多晶硅繞鍍清洗等多道工序完成。相比于PERC電池量產(chǎn)，生產(chǎn)成本和良率是長期困擾的難題。

　　

　　此次J-TOPCon 2.0新技術(shù)是與江蘇杰太光電技術(shù)有限公司合作，利用其獨創(chuàng)的線性等離子源技術(shù)，共同開發(fā)了一套全新的POPAID技術(shù) (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等離子氧化及等離子輔助原位摻雜技術(shù)。POPAID利用鏈?zhǔn)狡脚_傳輸載板，能夠在不破真空情況下同時完成隧穿氧化和摻雜非晶硅沉積，真正做到無繞鍍。POPAID技術(shù)是全新的中國創(chuàng)新概念和技術(shù)，他是在光伏電池制造領(lǐng)域難得的中國原創(chuàng)、世界領(lǐng)先的鍍膜概念。

　　

　　POPAID設(shè)備上實現(xiàn)了多項創(chuàng)新工藝，其中等離子氧化硅的形成(PO)對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實現(xiàn)了亞納米鍍膜工藝控制。和常規(guī)高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優(yōu)越。

　　

　　達(dá)到表面鈍化和接觸選擇性同時提升的效果，均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜(PAID)工藝，該設(shè)備采用等離子強(qiáng)化的鍍膜工藝，實現(xiàn)摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可高達(dá)4×1020原子/cm3，是常規(guī)離子注入濃度的一倍以上。經(jīng)兩道工藝的整合，J-TOPCon 2.0電池效率超過常規(guī)離子注入0.2%以上，開路電壓(Voc)，填充因子(FF)均有提升。良率也可提高2%。

　　

　　POPAID裝備技術(shù)使一臺設(shè)備可以替代現(xiàn)有管式高溫氧化、管式LPCVD，離子注入去繞鍍清洗四道工序的四臺設(shè)備，量產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能達(dá)到8000片/小時。

　　

　　中來稱，由于利用POPAID 技術(shù)使原來TOPCon 12道制造工序縮短到9道工序。這不僅提升電池效率，而且提升生產(chǎn)良率和降低生產(chǎn)成本，可跟高效PERC電池工藝流程相媲美?？梢哉f，J-TOPCon 2.0為新一代高效TOPCon電池的量產(chǎn)推廣鋪平了道路，這是對TOPCon技術(shù)的一次革命性貢獻(xiàn)。