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前沿光伏技術(shù)之光子倍增技術(shù):突破效率極限的曙光(一)

光伏產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 發(fā)布日期:2025-03-26
核心提示: 晶硅太陽(yáng)電池占據(jù)全球光伏市場(chǎng)90%以上的份額,但其理論效率受限于單結(jié)晶硅的帶隙特性(單晶硅太陽(yáng)電池理論極限效率為29.56%[1]),目前背接觸太陽(yáng)電池(Back contact solar cell)已經(jīng)將晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率推動(dòng)到了27.3%的高度,距離極限效率僅差2.26%。當(dāng)晶硅電池效率到達(dá)極限效率之后,又要如何突破晶硅電池理論極限的限制,再次走向輝煌?為此光子倍增技術(shù)(Photon Multiplication Technology)應(yīng)運(yùn)而生。
一、引言:光伏效率瓶頸與光譜管理革命
晶硅太陽(yáng)電池占據(jù)全球光伏市場(chǎng)90%以上的份額,但其理論效率受限于單結(jié)晶硅的帶隙特性(單晶硅太陽(yáng)電池理論極限效率為29.56%[1]),目前背接觸太陽(yáng)電池(Back contact solar cell)已經(jīng)將晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率推動(dòng)到了27.3%的高度,距離極限效率僅差2.26%。當(dāng)晶硅電池效率到達(dá)極限效率之后,又要如何突破晶硅電池理論極限的限制,再次走向輝煌?為此光子倍增技術(shù)(Photon Multiplication Technology)應(yīng)運(yùn)而生。

由于傳統(tǒng)晶硅電池對(duì)近紅外光(>1100 nm)和紫外光(300-400 nm)的低利用率(見(jiàn)圖1)——太陽(yáng)光譜中低能光子(紅外)則無(wú)法被吸收,而高能光子(紫外-藍(lán)光)的過(guò)剩能量以熱能形式耗散,這導(dǎo)致約50%的太陽(yáng)光譜能量損失[2]。前者可通過(guò)上轉(zhuǎn)換技術(shù)實(shí)現(xiàn)利用,后者則可通過(guò)光子倍增技術(shù)或下轉(zhuǎn)換技術(shù)完成對(duì)高能光子的吸收[3](見(jiàn)圖2),上下轉(zhuǎn)換技術(shù)筆者會(huì)在后續(xù)的文章中介紹。不同于僅能實(shí)現(xiàn)“一轉(zhuǎn)一”的下轉(zhuǎn)換技術(shù)(單個(gè)高能光子轉(zhuǎn)換成單個(gè)低能光子,其量子轉(zhuǎn)化效率不足100%),光子倍增技術(shù)的核心是利用稀土元素離子能把單光子分裂為多光子的機(jī)制——即量子裁剪(Quantum-Cutting, QC),將高能光子轉(zhuǎn)換為晶硅敏感的可見(jiàn)/近紅外光子,其量子效率超過(guò)100%,甚至接近200%,進(jìn)而大大提升晶硅電池對(duì)太陽(yáng)光的利用率,為晶硅電池效率的躍升開(kāi)辟了全新路徑。同時(shí)也可以降低高能光子對(duì)晶硅電池鈍化膜層的破壞,提升太陽(yáng)電池的壽命。本文將從原理、材料體系、器件設(shè)計(jì)等維度,系統(tǒng)分析該技術(shù)在晶硅電池(尤其是背接觸電池)中的應(yīng)用潛力。
 


 
圖1 AM 1.5G太陽(yáng)能光譜中晶硅吸收光譜以及量子裁剪、上轉(zhuǎn)換可利用光譜[2]
 
圖2 光譜轉(zhuǎn)換技術(shù)在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用[3](包括下轉(zhuǎn)化-DS、量子裁剪-QC、上轉(zhuǎn)換-UC)
 
  二、光子倍增技術(shù)的核心——量子裁剪:高能光子的“魔法剪刀”

    量子裁剪(quantum cutting)是一種非線性光轉(zhuǎn)換過(guò)程,其本質(zhì)是通過(guò)材料內(nèi)部的能量級(jí)聯(lián)或協(xié)同轉(zhuǎn)移,將單個(gè)高能光子(如紫外光子,3.5 eV)分裂為兩個(gè)或多個(gè)低能光子(如近紅外光子,1.1 eV)。這項(xiàng)技術(shù)最早被應(yīng)用在照明與電子顯示系統(tǒng)領(lǐng)域。根據(jù)機(jī)制不同基本可分為兩種:

    首先是“單離子級(jí)聯(lián)發(fā)射”機(jī)制[4](見(jiàn)圖3a),這是一種通過(guò)單個(gè)離子內(nèi)部的能級(jí)躍遷實(shí)現(xiàn)光子倍增的機(jī)制。當(dāng)離子(如Pr³?)吸收一個(gè)高能紫外光子后,電子從基態(tài)激發(fā)至高能態(tài)(如³P?),隨后通過(guò)多步非輻射弛豫或輻射躍遷逐級(jí)降至中間能級(jí)(如¹G?),最終躍遷回基態(tài)(如³H?),在此過(guò)程中分階段釋放出兩個(gè)或多個(gè)低能近紅外光子。例如,Pr³?在氟化物基質(zhì)(如NaYF?)中可依次發(fā)射~480 nm和~1015 nm光子,理論量子效率達(dá)140%,其關(guān)鍵在于離子能級(jí)的精細(xì)調(diào)控和基質(zhì)低聲子化特性,以抑制非輻射損耗,確保能量高效轉(zhuǎn)化為光子輸出。

    其次是“雙離子協(xié)同轉(zhuǎn)移”[4] (見(jiàn)圖3b),它是一種通過(guò)兩個(gè)離子間的高效能量耦合實(shí)現(xiàn)光子倍增的機(jī)制。當(dāng)敏化劑離子(如Tb³?)吸收一個(gè)高能紫外光子后,其激發(fā)態(tài)(如?D?能級(jí))的能量恰好是接收體離子(如Yb³?)單次躍遷所需能量(²F?/?→²F?/?)的兩倍,通過(guò)協(xié)同能量轉(zhuǎn)移過(guò)程,Tb³?的激發(fā)態(tài)能量同時(shí)傳遞給兩個(gè)相鄰的Yb³?離子,觸發(fā)兩者分別發(fā)射一個(gè)近紅外光子[5](~980 nm)。例如,在YPO?:Tb³?-Yb³?體系中,單個(gè)480 nm紫外光子被Tb³?吸收后,通過(guò)共振偶極-偶極相互作用,將總計(jì)約1.24eV的能量平均分配給兩個(gè)Yb³?離子,實(shí)現(xiàn)量子效率達(dá)188%,其核心在于離子間距的精準(zhǔn)調(diào)控(<1 nm)及基質(zhì)晶格的低聲子化設(shè)計(jì),以最大化協(xié)同轉(zhuǎn)移概率并抑制能量回傳。

 
圖3 單離子體系與雙離子體系量子裁剪機(jī)理示意圖[4-5]

    量子裁剪技術(shù)作為光子倍增技術(shù)的核心,近年來(lái)也取得顯著進(jìn)展,核心聚焦于高效材料體系的開(kāi)發(fā)與機(jī)理優(yōu)化。研究者通過(guò)稀土離子對(duì)(如Tb³?-Yb³?、Pr³?-Yb³?)的協(xié)同能量轉(zhuǎn)移機(jī)制,在氟化物(NaYF?)、氧化物(YPO?)及玻璃陶瓷等低聲子能基質(zhì)中實(shí)現(xiàn)量子效率突破190%[6-7],其中Cs?Y?Br?:Er³?-Yb³?體系甚至達(dá)到195%[8];同時(shí),通過(guò)核殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(如NaYF?@NaGdF?)抑制表面淬滅,將Yb³?發(fā)光壽命提升至毫秒級(jí)[9],并結(jié)合Ce³?、Bi³?等敏化劑的吸收擴(kuò)展至紫外-藍(lán)光寬譜[10-11](250–500 nm)。近期研究進(jìn)一步探索了無(wú)稀土體系(如Cu?/Mn??摻雜)和鈣鈦礦量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)[12-13],為低成本、高穩(wěn)定性應(yīng)用奠定基礎(chǔ),推動(dòng)該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室向晶硅電池、窄帶隙光伏器件的產(chǎn)業(yè)化集成邁出關(guān)鍵一步。愛(ài)旭研發(fā)中心的工作人員對(duì)光子倍增技術(shù)在晶硅電池量產(chǎn)提效方面也做了比較深入的研究,下期將對(duì)光子倍增技術(shù)在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行介紹,敬請(qǐng)期待!

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