三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET
隨著中國“十四五”規(guī)劃浮出水面，第三代半導體項目投資升溫加劇。據不完全統(tǒng)計，2020年有8家企業(yè)計劃投資總計超過430億元，碳化硅、氮化鎵材料半導體建設項目出現“井噴”。三安集成表示，“良性競爭有助于產業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展，我們會加快新產品的推出速度和產能建設，以便保持先發(fā)優(yōu)勢。”據悉，三安集成碳化硅肖特基二極管于2018年上市后，已完成了從650V到1700V的產品線布局，并累計出貨達百余萬顆，器件的高可靠性獲得客戶一致好評。
本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET，與傳統(tǒng)的硅基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化硅材料擁有“更高、更快、更強”的特性 -- 更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率，更低的開關損耗。優(yōu)異的高溫和高壓特性使得碳化硅MOSFET在大功率應用中表現出色，尤其是高壓應用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統(tǒng)朝著小型化，輕量化，集成化的方向發(fā)展。這對“寸土寸金”的電源系統(tǒng)來說至關重要，比如新能源車載充電器OBC、服務器電源等。
從碳化硅肖特基二極管到MOSFET，三安集成在3年時間內便完成了碳化硅器件產品線布局。在保證器件性能的前提下，提供高質量高可靠性的碳化硅產品。首款工業(yè)級碳化硅MOSFET采用平面型設計，具備優(yōu)異的體二極管能力，高溫直流特性，以及優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性。
更強的體二極管能力
由于器件結構的原因，碳化硅MOSFET的體二極管是PiN二極管，器件的開啟電壓高，損耗大。在實際使用中，往往會通過并聯肖特基二極管作續(xù)流，減小系統(tǒng)損耗。三安集成的碳化硅MOSFET通過優(yōu)化器件結構和布局，大大增強碳化硅體二極管的通流能力，不需要額外并聯二極管，降低系統(tǒng)成本，減小系統(tǒng)體積。
優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性
如何能夠得到優(yōu)質的碳化硅柵氧結構是目前業(yè)界普遍的難題。柵氧質量不僅會影響MOSFET的溝道通流能力，造成閾值漂移現象，嚴重時會導致可靠性的失效。三安集成通過反復試驗和優(yōu)化柵氧條件，閾值電壓的穩(wěn)定性得到明顯提高，1000hr的閾值漂移在0.2V以內。
目前行業(yè)內碳化硅MOSFET缺貨聲音不斷，三安集成加速碳化硅器件產能擴張。今年7月在長沙高新區(qū)開工建設的湖南三安碳化硅全產業(yè)鏈園區(qū)，計劃總投資160億元，占地1000畝。目前項目一期工程建筑主體已拔地而起，計劃將于2021年6月開始試產。不到1年的時間，在茅草荒地上建立一個全面涵蓋碳化硅晶體生長、襯底、外延、晶圓制造和封裝測試的全產業(yè)鏈現代化制造基地，用“三安速度”表明其在第三代半導體產業(yè)投入的決心。
“三安速度”不光體現在工程建設速度上，三安集成表示，將加快MOSFET系列產品研發(fā)和車規(guī)認證的速度，同時繼續(xù)發(fā)揚優(yōu)質穩(wěn)定、按時交付的質量方針，充分利用大規(guī)模、全產業(yè)鏈的產能優(yōu)勢與品質管理優(yōu)勢，用開放的制造平臺，服務全球客戶。
消息來源 : 三安集成
