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黑硅技術(shù)路線明朗化 多晶挑戰(zhàn)普通單晶市占率

核心提示:自從PERC技術(shù)普及之后,單晶太陽能產(chǎn)品持續(xù)威脅多晶的市占。

自從PERC技術(shù)普及之后,單晶太陽能產(chǎn)品持續(xù)威脅多晶的市占。多晶廠商因而開始關(guān)注黑硅工藝,嘗試透過黑硅來改善金剛線切硅片易使電池轉(zhuǎn)換效率降低的問題,為龐大的多晶產(chǎn)能找尋新的市場機會。

與傳統(tǒng)的沙線切多晶硅片相比,金剛線切的速度較快、切出的硅片品質(zhì)較穩(wěn)定,每片硅片成本可降低6~10美分。然而金剛線切多晶硅片的表面過于光滑,使日光容易反射而無法被電池吸收,會降低轉(zhuǎn)換效率。為此必須進行表面制絨處理,其中一種能見度高的技術(shù)被稱為黑硅。

兩種類型、三種工藝

黑硅是隨著金剛線切硅片而卷土重來的既存技術(shù)。2016年,已有不少廠商開始投入黑硅研究,中國阿特斯、晶澳、晶科、比亞迪等一線大廠、日廠京瓷以及部分臺廠都包含在內(nèi)。

黑硅主要分成干法與濕法兩種,又有多種分類。目前,市場上主要的黑硅技術(shù)有干法、濕法、添加劑三類;添加劑屬濕法的一類,但沒有標準濕法所采用的硝酸銀溶劑。三種工藝的主要分別如下:

圖片4

考量到目前的技術(shù)發(fā)展與設(shè)備成本等面向,EnergyTrend分析師認為,2017年黑硅技術(shù)路線已逐漸朝添加劑工藝收斂,而干法仍有繼續(xù)發(fā)展的空間。相較之下,濕法所使用的硝酸銀溶劑有環(huán)境污染疑慮,是相對不利的特性。此外,濕法在效率提升上不如干法、在降本方面又不如添加劑,其競爭力如何仍待檢視。

主要競爭對象為一般單晶

黑硅多晶電池若疊加PERC技術(shù),轉(zhuǎn)換效率可來到19~20%左右;加上金剛線切所降低的成本,在性價比上直接挑戰(zhàn)的將是一般單晶的地位。加上單晶受限于硅片產(chǎn)能不如多晶充足,難以一舉翻轉(zhuǎn)多晶的市占率,相對的也為性價比更好的黑硅多晶開了市場空間。

而單晶PERC則將在2017年正式隨著技術(shù)成熟而邁入高效產(chǎn)品的主流市場,這點從不少廠商積極擴產(chǎn)、市場需求也升溫的現(xiàn)象中可以得知。

EnergyTrend分析師預估,黑硅技術(shù)路線將在2017年上半年明朗化,并在2017年下半年開始進入量產(chǎn)階段。市場對黑硅多晶電池的反應如何,將左右黑硅未來的發(fā)展。

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