背接觸技術(shù)
區(qū)別于傳統(tǒng)光伏組件結(jié)構(gòu)，去除正面焊帶設(shè)計，電流運(yùn)動均在背面進(jìn)行，減少正面遮擋，把組件正面受光面積利用至極致，實現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率質(zhì)的提升，必然成為單玻組件“究極形態(tài)”。
背接觸技術(shù)在發(fā)展之初并非一帆風(fēng)順，其由于對制造工藝的精益化需求，以及制造材料的高標(biāo)準(zhǔn)要求，技術(shù)發(fā)展進(jìn)程受限于制造成本、量產(chǎn)技術(shù)等因素，發(fā)展較為緩慢。但基于市場的需求及專業(yè)領(lǐng)域的探索精神，產(chǎn)學(xué)研多方數(shù)年的合作努力，從核心材料到控制成本，目前背接觸技術(shù)陣營逐漸成熟并不斷壯大?，F(xiàn)背接觸技術(shù)主要分為如下三種：發(fā)射極環(huán)繞穿通 (EWT) ，金屬穿孔卷繞 (MWT) 和插指式背接觸 (IBC)，其中MWT及IBC經(jīng)過產(chǎn)業(yè)化運(yùn)作嘗試，已頗有成效，成為背接觸技術(shù)的潛力成員。
其中IBC，主要以 SunPower 公司為首，該公司擁有量產(chǎn)效率最高的 IBC 電池。該技術(shù)的特點是暴露在前表面光照下而產(chǎn)生的載流子仍然可以在電池的背面被收集，這不僅完全消除了前表面的遮蔭損失，也降低了電池的串聯(lián)電阻。其背面N型層與P型層相互交替，在N/P界面上形成PN結(jié)。電極從N型與P型上分別導(dǎo)出，整個電池正面沒有任何電極和鉛錫焊帶，有效提高了正面的光線利用率，提升轉(zhuǎn)換效率，但是焊接從背面進(jìn)行，且背面焊接技術(shù)與傳統(tǒng)的不一樣，工藝技術(shù)要求高，同時也帶來了較高的制造成本，若想更大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展和在終端應(yīng)用，降本之路任重而道遠(yuǎn)。
背接觸技術(shù)陣營的另外“一員大將”則當(dāng)屬M(fèi)WT(金屬穿孔卷繞)背接觸技術(shù)，以日托光伏為代表，經(jīng)過多年的潛心研發(fā)和技改，實現(xiàn)了MWT技術(shù)的低成本化量產(chǎn)，成功突破行業(yè)瓶頸，達(dá)到MWT技術(shù)GW級量產(chǎn)。MWT主要采用激光打孔、背面布線的技術(shù)消除正面電極的主柵線，正面電極細(xì)柵線搜集的電流通過孔洞中的銀漿引到背面，這樣電池的正負(fù)電極點都分布在電池片的背面，有效減少了正面柵線的遮光面積，提高了組件效率，同時降低了銀漿的耗量和金屬電極-發(fā)射極界面的少子復(fù)合損失。組件以高效率、高可靠性以及無鉛化等綜合優(yōu)勢成功脫穎而出。
日托光伏的MWT組件實現(xiàn)背接觸的工藝不僅在電池工藝上，更離不開背后的導(dǎo)電背板。其神秘的“導(dǎo)電背板”成為MWT技術(shù)實現(xiàn)成本可控進(jìn)而量產(chǎn)的“核心材料”。
在創(chuàng)立之初，日托光伏曾為克服電池片串聯(lián)問題嘗試過多種方案，包括焊接，但最后經(jīng)過多種條件下實驗、測試，選擇了最優(yōu)的解決方案，即導(dǎo)電背板。MWT組件主要采用導(dǎo)電背板結(jié)合導(dǎo)電膠連接電池片，通過激光刻線技術(shù)，自由串聯(lián)上層電池片，同時組件采用平面二維封裝技術(shù)，全程無焊接工藝，避免了焊帶焊接帶來的應(yīng)力，以及可能產(chǎn)生的電池片隱裂，提高組件可靠性，且平均工作溫度降低3℃，進(jìn)一步提高了組件的轉(zhuǎn)換效率，此外無焊帶的組件設(shè)計，MWT組件可采用更薄硅片，進(jìn)一步控制組件成本，實現(xiàn)組件達(dá)到量產(chǎn)條件。正是這種核心的技術(shù)和材料使得日托光伏的MWT組件成為現(xiàn)階段全球背接觸光伏產(chǎn)品陣營的領(lǐng)導(dǎo)者，實現(xiàn)了這一高效技術(shù)的最佳性價比。
同時，導(dǎo)電背板不僅可以說是MWT技術(shù)的核心材料，也可以說是背接觸技術(shù)的核心材料。一直以來，日托光伏始終沒有放棄對背板和背接觸技術(shù)的深入研究，一方面在不斷優(yōu)化導(dǎo)電背板和電池的設(shè)計及工藝，爭取進(jìn)一步降本，實現(xiàn)更加環(huán)保，另一方面也在不斷積極開發(fā)導(dǎo)電背板的新應(yīng)用，包括與IBC、HJT等技術(shù)結(jié)合，期待未來在背接觸的平臺上，發(fā)揮彼此在效率、可靠性方面的優(yōu)勢，實現(xiàn)單玻組件的效能最大化。
