面對光伏產(chǎn)業(yè)2020年平價上網(wǎng)目標，不少人把目光放在了組件成本上，其下降潛力被深度挖掘。被廣泛熱議的單晶與多晶，在今年也經(jīng)歷了不一樣的走勢。隨著第三批“領(lǐng)跑者”標準和基地的公布，政策上不再傾斜單晶，而多晶金剛線改造正加速推進，單多晶在切片端回到同一起跑線。
黑硅技術(shù)是降本增效利器?
近一年以來，多晶路線的技術(shù)研發(fā)主要圍繞著表面制絨技術(shù)展開，包括添加劑制絨、濕法黑硅和干法黑硅等三種技術(shù)路線都取得了重要進展。
保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬躍鵬認為，從目前來看，濕法黑硅是最具性價比、最有市場前景的。該類型硅片擁有完美的電池外觀、優(yōu)質(zhì)的陷光性能、更高的轉(zhuǎn)化效率，價格也更為低廉。據(jù)統(tǒng)計，2017年底國內(nèi)濕法黑硅設(shè)備已經(jīng)超過100臺，產(chǎn)能超過10吉瓦。
“前幾年高效多晶技術(shù)的主攻方向是圍繞著晶體結(jié)構(gòu)進行的體材料提效，而近一年則是以黑硅技術(shù)為代表的硅片表面提效，下一階段將是圍繞著多晶PERC的電池效率提升。”萬躍鵬如是說。
在11月的無錫新能源展上，保利協(xié)鑫最新發(fā)布了最新一代“TS+黑硅片”，相比目前市場上主流的多晶組件，60片型TS+黑硅組件可獲得效率增益達5瓦以上，組件功率突破275瓦。按照當前組件價格計算，黑硅組件有0.05元/瓦的增益，而成本只上升了0.02元/瓦左右，性價比優(yōu)勢明顯。
金剛線切割多晶優(yōu)勢顯現(xiàn)?
萬躍鵬表示，黑硅技術(shù)的突破，國產(chǎn)化金剛線機臺改造、低成本的金剛線細線是金剛線多晶硅片得以在今年快速推廣的三個最主要的因素。
出于降低成本的需要，金剛線切割多晶是必然趨勢，大范圍推廣后將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距。
2016年，單晶率先推廣了金剛線切割，帶來了市場份額的增長。隨著單晶金剛線切的全面推廣，多晶金剛線切的應(yīng)用也變得更加緊迫。但是，業(yè)界普遍認為，金剛線切多晶面臨斷線、碎片率高等問題。
“保利協(xié)鑫金剛線改造機A片良率超過92%，全面超越專用機，隨著工藝逐步優(yōu)化，未來還有進一步提升的空間。”萬躍鵬表示。隨著保利協(xié)鑫等多晶廠商逐步克服金剛線切多晶機臺改造難題，金剛線切割將為多晶帶來更大的優(yōu)勢。未來硅片成本的下降取決于于線徑和硅片厚度的降低。
據(jù)了解，金剛線成本占據(jù)硅片總成本的17%，大體量多晶金剛線切普及后，金剛線供不應(yīng)求價格偏高，預計明年上半年各大廠新建產(chǎn)能釋放后價格下行，將進一步降低金剛線成本。今年以來，保利協(xié)鑫金剛線切多晶改造進展超出預期，11月金剛線產(chǎn)品占比已超90%，剩余B5機臺改造技術(shù)已經(jīng)突破，預計年底將全部改造完畢，而當前金剛線多晶片仍一片難求。
未來，多晶技術(shù)仍然有較大的提升空間，將集中在減少晶體缺陷、優(yōu)化鑄錠單晶技術(shù)、提升黑硅效率、減少鑄錠硬質(zhì)點、優(yōu)化金剛線切多晶、薄片化和大尺寸的硅片等方面。
據(jù)悉，保利協(xié)鑫明年將全面升級G8鑄錠爐，并加快晶體生長速度，可以增加30%以上鑄錠產(chǎn)能，并通過熱場改造優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)進一步提升效率。
從市場情況來看，在第三批領(lǐng)跑者項目中單晶不再受到優(yōu)待，市場份額占據(jù)八成的多晶依舊是平價上網(wǎng)路線的主力軍。未來，多晶與單晶的市場份額和走勢，將更多地交給市場來決定。
