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多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)工藝控制技術(shù)和設(shè)備組成

核心提示:多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)工藝控制技術(shù)和設(shè)備組成
   摘要:多晶硅鑄錠爐是多晶硅制造的關(guān)鍵設(shè)備之一,其工藝流程的穩(wěn)定性、設(shè)備控制的穩(wěn)定性和先進性直接關(guān)系到是否能夠生產(chǎn)出合格的硅錠,而合格的硅錠直接決定著硅片制成的電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此,詳細地介紹了多晶硅鑄錠爐的生產(chǎn)工藝,并主要對抽真空系統(tǒng),壓力控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、測溫系統(tǒng)、保溫層升降系統(tǒng)等設(shè)備組成展開分析,探討了控制系統(tǒng)的硬件控制結(jié)構(gòu)、軟件流程以及在設(shè)計時體現(xiàn)出的獨到的設(shè)計理念和創(chuàng)新性。
 
  引言
 
  在世界能源形勢日益嚴(yán)峻的當(dāng)下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)得到了迅速的發(fā)展。硅是太陽能電池重要的化學(xué)組成,多晶硅鑄錠爐可以通過熔融和定向長晶凝固技術(shù)對硅進行調(diào)整和切片,使其成為符合太陽能電池生產(chǎn)要求的材料。完善的生產(chǎn)工藝控制系統(tǒng)和科學(xué)的設(shè)備組成使得多晶硅鑄錠爐可以保證較高的可靠性和穩(wěn)定性。
 
  1、多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)工藝
 
  多晶硅鑄錠爐的生產(chǎn)工藝是將熱交換法和布里曼法進行了結(jié)合,硅在鑄錠爐內(nèi)發(fā)生結(jié)晶,硅錠生產(chǎn)加熱過程中底部的隔熱層和爐的保溫層確保了嚴(yán)密的閉合狀態(tài),從而避免了硅錠生產(chǎn)熱量的外泄和溫度的不均衡造成的硅錠受熱不均衡,為硅錠長晶創(chuàng)造了良好的環(huán)境。當(dāng)鑄錠爐內(nèi)的硅錠出現(xiàn)結(jié)晶情況時,開始向爐內(nèi)充入保護器,在保持熔融硅原料的坩堝位置不變的情況下將保溫層進行升高,這時保溫層與隔熱層之間會出現(xiàn)縫隙,坩堝底部的熱量便會通過這個空隙散發(fā)出去,爐壁和氣體這樣的熱量置換使得坩堝底部的溫度逐漸降低,已經(jīng)完成結(jié)晶的材料便會從加熱區(qū)離開,但是熔融的硅液體卻不會離開,使得硅錠結(jié)晶過程中固體和液體的界面形成了較為穩(wěn)定的溫度梯度。鑄錠爐生產(chǎn)工藝的特點表現(xiàn)為液相溫度梯度與常數(shù)接近和硅錠生長速度可調(diào)節(jié)。鑄錠爐生產(chǎn)工藝加工既可以是方形的多晶硅材料也可以是大型硅錠。鑄錠爐多晶硅生產(chǎn)總體耗電量較低,且對于原料純度要求較為寬松,多晶硅的生產(chǎn)效率較高,而且使用這種硅片的電池太陽能轉(zhuǎn)換的效率也十分出色。在大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)模式下,業(yè)內(nèi)對多晶硅生產(chǎn)工藝流程和各個環(huán)節(jié)的參數(shù)進行了統(tǒng)一的規(guī)定。多晶硅的生產(chǎn)工藝可以分為預(yù)熱、熔化、長晶、退火和冷卻五個步驟,工藝參數(shù)如表1所示。
  2、多晶硅鑄錠爐設(shè)備組成
 
  2.1、抽真空系統(tǒng)
 
  多晶硅的加工工藝對于真空度的要求較高,抽真空系統(tǒng)的作用就是保持硅錠可以在真空狀態(tài)下得到處理。不同的工藝環(huán)節(jié)對于真空度的要求存在較大的差異,抽真空系統(tǒng)需要對爐內(nèi)的壓力和真空狀態(tài)進行控制和調(diào)整。多晶硅鑄錠爐抽真空系統(tǒng)除了有基礎(chǔ)的抽氣設(shè)備之外還設(shè)置了壓力檢測裝置,確保爐內(nèi)壓力在合適的范圍之內(nèi),為多晶硅硅錠的生長提供良好的氣氛。鑄錠爐抽真空系統(tǒng)的具體設(shè)備有羅茨泵、比例閥旁路抽氣系統(tǒng)和機械泵[1]。
 
  2.2、壓力控制系統(tǒng)
 
  根據(jù)多晶硅生產(chǎn)工藝的要求鑄錠爐設(shè)置了壓力控制系統(tǒng),負(fù)責(zé)對爐內(nèi)的壓力進行調(diào)控,確保硅錠在特定時間段內(nèi)可以處于適當(dāng)?shù)膲毫Νh(huán)境中。壓力控制系統(tǒng)的調(diào)控需要結(jié)合長晶的實際狀況,對硅錠實時分析信息是壓力控制系統(tǒng)工作的基本判斷依據(jù)。
 
  2.3、加熱系統(tǒng)
 
  溫度可以說是多晶硅生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的工藝參數(shù),因而加熱系統(tǒng)也就顯得尤為重要。鑄錠爐采用加熱體來實現(xiàn)對環(huán)境和規(guī)定原料的加熱,這些加熱體全部由中央處理器進行統(tǒng)一的控制,在加工過程中將硅錠生產(chǎn)各個階段對于溫度的要求輸入系統(tǒng)作為設(shè)定值,加熱系統(tǒng)可以對爐內(nèi)溫度進行精確的控制,確保硅錠有適宜的溫度來長晶。
 
  2.4、測溫系統(tǒng)
 
  測溫系統(tǒng)得到的信息數(shù)據(jù)可以為加熱系統(tǒng)提供依據(jù),測溫系統(tǒng)可以對鑄錠爐內(nèi)硅錠長晶過程的溫度變化情況進行檢測和實時分析,并將實際的溫度參數(shù)與設(shè)定值進行比較,當(dāng)出現(xiàn)參數(shù)誤差時可以及時進行調(diào)整,為多晶硅硅錠生產(chǎn)提供適宜的環(huán)境。
 
  2.5、保溫層升降系統(tǒng)
 
  保溫層升降系統(tǒng)的工作效果會對鑄錠爐內(nèi)硅錠的長晶速度產(chǎn)生顯著的影響,為了提高生產(chǎn)效率確保硅錠的長晶速度和成品質(zhì)量保溫層并將系統(tǒng)所使用的機械設(shè)備必須具有較高的精確性。鑄錠爐的保溫層升降系統(tǒng)通過精密的機械來實現(xiàn)對系統(tǒng)升降時間和速度的控制,確保硅錠晶核優(yōu)良,為高效的太陽能光伏電池光電轉(zhuǎn)化提供保障[2]。
 
  3、多晶硅鑄錠爐控制系統(tǒng)
 
  3.1、控制系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)組成
 
  多晶硅鑄錠爐的生產(chǎn)規(guī)模較大且生產(chǎn)工藝控制較為復(fù)雜,為了確保生產(chǎn)質(zhì)量和控制系統(tǒng)成效需要有強大的計算機控制系統(tǒng)來進行統(tǒng)一的管理和匯總。分布式現(xiàn)場總線控制系統(tǒng)是目前十分常用的多晶硅鑄錠爐控制系統(tǒng),主要包括現(xiàn)場控制器、控制單元、中央處理器和執(zhí)行機構(gòu)四個部分組成。該控制系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)通訊冗余,控制器冗余,因而故障的發(fā)生幾率也可以得到有效的控制。鑄錠爐的現(xiàn)場控制器和中央處理器之間通過以太網(wǎng)實現(xiàn)連接,總控制臺向中央控制器發(fā)出指令,中央控制器再將接受到的指令接著傳遞給現(xiàn)場控制器,根據(jù)現(xiàn)場控制器發(fā)回的實際情況再向執(zhí)行機構(gòu)下達動作指令。分布式總線控制系統(tǒng)的應(yīng)用為全自動化的多晶硅生產(chǎn)提供了基礎(chǔ)。
 
  3.2、控制系統(tǒng)軟件控制流程
 
  硬件系統(tǒng)相適應(yīng)的控制軟件和控制程序可以實現(xiàn)控制參數(shù)的優(yōu)化和控制精度的提高,多晶硅鑄錠爐的軟件控制系統(tǒng)主要包括工藝配方編輯系統(tǒng)和長晶狀況實時分析判斷系統(tǒng)兩大部分。其中工藝配方編輯系統(tǒng)為技術(shù)和管理人員提供了更為便捷的工藝配方編輯和處理方法,從而及時發(fā)現(xiàn)配方中存在的不足并加以改正。長晶狀況實時分析判斷系統(tǒng)可以對鑄錠爐內(nèi)硅錠的長晶參數(shù)進行實時分析判斷,并對存在誤差的參數(shù)進行及時的調(diào)整,為其他控制系統(tǒng)的工作提供依據(jù),這也是多晶硅鑄錠爐設(shè)備控制的核心部分。預(yù)熱階段對坩堝內(nèi)硅料加熱的同時將空氣中的有害氣體排出,避免其對硅料產(chǎn)生不良影響。長晶狀況實時分析判斷系統(tǒng)可以在熔化階段將傳感器傳回的硅料狀況進行分析,為技術(shù)人員的操作提供指示。退火階段通過對恒溫場溫度的分析采取合適的溫度下降速度,避免過快降溫對硅錠造成負(fù)面作用。冷卻階段控制硅錠進行自然降溫,最后硅錠出爐,該軟件系統(tǒng)的工作完畢。
 
  4、結(jié)語
 
  多晶硅鑄錠爐已經(jīng)成為太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要設(shè)備,加強其生產(chǎn)工藝控制技術(shù)和設(shè)備組成情況的研究有利于提高鑄錠爐的生產(chǎn)水平,促進硅片生產(chǎn)質(zhì)量的提高和太陽能光伏電池制造水平的進步。我國自主研發(fā)的多晶硅鑄錠爐早在2008就已經(jīng)問世,并且在實踐中得到了很好的應(yīng)用效果。

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